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「一分钟资讯」OPPO、苹果、小米、中邮、三星、华为,最新消息

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「一分钟资讯」第309篇,感谢你的阅读。

OPPO 首款自研 AP 芯片或 2023 年量产

近日,爱集微消息,OPPO 旗下 IC 设计子公司上海哲库已展开应用处理器(AP)及手机系统单芯片(SoC)研发,预计 2023 年会推出首款 AP 并采用台积电 6 纳米米制程生产,2024 年再推出整合 AP 及 Modem 的手机 SoC,并进一步采用台积电 4 纳米制程投片。

此前,OPPO 自研 NPU 芯片已经正式推出。2021 年 12 月 14 日,在 OPPO 2021 年度未来科技大会上,OPPO 首款自研 NPU 芯片马里亚纳 MariSilicon X 正式发布。

苹果 WWDC 2022 将于 6 月 6 日举行

苹果宣布,WWDC 2022 将于 6 月 6 日至 10 日举行。这次开发者大会依然是线上形式。

苹果计划向开发者提供课程和实验室,允许他们学习新功能和发布会上将要推出的新版系统。苹果将在这次大会上公布 iOS 16、iPadOS 16、macOS 13、tvOS 16 和 watchOS 9 系统。

iPhone 14 Pro Max 边框黑边或更窄

近日,MacRumors 消息,最新出现的 CAD 渲染图显示,iPhone 14 Pro Max 的屏幕边框黑边更窄,只有 1.95 毫米。

iPhone 13 Pro Max 屏幕边框黑边宽度为 2.42 毫米。这意味着 iPhone 14 Pro Max 的边框黑边缩小了 20%。

据悉,iPhone 14 Pro 和 Pro Max 不再使用刘海屏设计,而是长条开孔 + 打孔,开孔距离顶部边框 2.29 毫米。

全新 小米 MIX FOLD 即将登场

日前,据数码博主 @i 冰宇宙 透露,小米今年没有 MIX 数字系列,不过会推出 MIX FOLD 新机。

据 xiaomiui.net 爆料,小米或在 6 月发布小米 MIX FOLD 2,代号 “zizhan”,该机已在 IMEI 数据库现身,型号为 C。

尺寸方面,小米 MIX FOLD 2 内屏尺寸为 8 英寸,外屏尺寸为 6.5 英寸,与小米 MIX FOLD 尺寸接近。

此前博主 @数码闲聊站 曾表示,小米 MIX FOLD 2 的折痕较前代进步明显,同时内屏、外屏都支持高刷新率,弥补小米 MIX FOLD 的遗憾(小米 MIX FOLD 内屏刷新率为 60Hz)。

至于核心性能,小米 MIX FOLD 2 可能会搭载高通骁龙 8 处理器,也可能会搭载高通骁龙 8 Plus 处理器。

此前有爆料称,高通将在今年 5 月发布骁龙 8 Plus 处理器,相关终端会在 6 月份登场。

中邮Hi nova9 SE 5G手机或4月8日发布

据爆料博主“厂长是关同学”消息,中邮 Hi nova9 SE 5G 将在本月 8 日发布,外形与华为 nova9 SE 大体相同,处理器采用了骁龙 695,支持 5G。

骁龙 695 5G 这款芯片于去年 10 月份发布,提供全球 5G 支持,支持毫米波和 sub-6 GHz 频段。高通称,该平台具有高达 30% 的 GPU 图形渲染速度和 15% 的 CPU 性能提升(与骁龙 690 相比)。

据悉,中邮 Hi nova9 SE 现已通过工信部认证,型号为 FIO-TL00。

三星发布Galaxy S20 FE 2022款

据 GSMArena 报道,三星在韩国悄悄推出了 Galaxy S20 FE 2022 款机型。该设备似乎在 4 月 1 日出现在 KT 和 LG Uplus 网站上。但可以确定这不是愚人节玩笑。

这款手机与最初的 Galaxy S20 FE 5G(搭载骁龙 865 芯片)完全相同,只是 AKG 耳机已从零售包装中移除,价格也下降了 20 万韩元。

三星 Galaxy S20 FE 2022 款最终价格是 70 万韩元(约 3668 元人民币),大多数买家还可能会获得运营商补贴版本。用户可以通过型号 SM-G781NK22(或是 SM-G781NK)来识别这款新机型。只有云白色、云薰衣草色和云蓝色的配色可供选择。

华为公开芯片堆叠封装专利

华为公开了一种芯片堆叠封装及终端设备专利,解决因采用硅通孔技术而导致的成本高的问题。

国家专利局专利信息显示,华为技术有限公司于 4 月 5 日公开了一项芯片相关专利,公开号 CNA。专利摘要显示,这是一种芯片堆叠封装及终端设备,涉及半导体技术领域,其能够在保证供电需求的同时,解决因采用硅通孔技术而导致的成本高的问题。

专利文件显示,该芯片堆叠封装 (01) 包括:

设置于第一走线结构 (10) 和第二走线结构 (20) 之间的第一芯片 (101) 和第二芯片 (102);所述第一芯片 (101) 的有源面 (S1) 面向所述第二芯片 (102) 的有源面 (S2);第一芯片 (101) 的有源面 (S1) 包括第一交叠区域 (A1) 和第一非交叠区域 (C1),第二芯片 (102) 的有源面 (S2) 包括第二交叠区域 (A2) 和第二非交叠区域 (C2);第一交叠区域 (A1) 与第二交叠区域 (A2) 交叠,第一交叠区域 (A1) 和第二交叠区域 (A2) 连接;第一非交叠区域 (C1) 与第二走线结构 (20) 连接;第二非交叠区域 (C2) 与第一走线结构 (10) 连接。

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